第三代半导体的机遇
化合物半导体物理特性具有独特优势。半导体材料领域共经历三个发展阶段:第一阶段是以硅、锗为代表的IV族半导体;第二阶段是以GaAs和InP为代表的III-V族化合物半导体,其中GaAs技术发展成熟,主要用于通讯领域;第三阶段主要是以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料。硅材料技术成熟,成本低,但是物理性质限制了其在光电子、高频高功率器件和耐高温器件上的应用。相比硅材料,化合物半导体材料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热能力等特性上具有独特优势。
发布于:2021-11-08
| 作者:佚名
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