高芯圈 芯片半导体资讯网 设备技术双管齐下!国产芯片突围倒计时

设备技术双管齐下!国产芯片突围倒计时

作者:匿名    来源:未知   
浏览:796    发布:2021-03-24 18:26:44

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近几年,美国频频对我国高科技企业下手,尤其是芯片禁令,一度让华为差点倒下。表面上看老美是冲着5G主导权而来,事实上,是想通过技术先发性来全面遏制我国高科技的发展。

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国产企业之所以会处于被动挨打的局面,最关键的因素就在于我们没有完善的半导体产业链,给了对手可乘之机。好的一方面是,经过这件事,我们彻底醒悟,不再想着“拿来主义”的便捷,而是坚定了自主造芯的决心。

国家不仅制定了2025年实现70%芯片自主率的目标,同时对半导体产业推出了大量的扶持政策,并优化产业环境。除了核心企业的努力之外,中科院等顶尖科研机构也纷纷入场,成立专项技术攻关小组,为中国芯的实现扫除一个又一个“障碍”。在团结努力之下,国产芯片各方面都取得了阶段性的胜利,距离完全国产化越来越近。

芯片制造关键设备

芯片制造设备是我们最为薄弱的环节,其中离子注入机、蚀刻机、光刻机、光刻胶等等,在以前,我们几乎完全依赖进口,这些关键设备是我们实现芯片国产化的最大“拦路虎”,也是我们主攻的方向。

在近日,中国电科正式宣布,实现了离子注入机的全谱系国产化,包括中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等各式离子注入机型,工艺达到了全球领先水平,累计发明专利有413项。

要知道,以前在该领域,美国Axcelis 公司占据着全球70%以上的市场,而我们的自给率却几乎为零。中国电科无疑打破了这种“垄断”局面,加速了国产半导体产业链的完善。

在蚀刻机方面,去年中微半导体就完成了自主研发,工艺达到5nm,并且成功完成了与ASML公司EUV光刻机的联机。

EUV光刻机方面,清华大学于上个月突破了光源技术,可以从太赫兹波段覆盖到极紫外波段,极紫外光正是EUV光刻机最核心的技术。光源的自主意味着我们对这EUV光刻设备的自研已经成功了一半。

在高端光刻胶领域,除了南大光电之外,上海新阳于前段时间也宣布了好消息,被日美企业垄断的Arf高端胶,我们已经实现了自主,按照推进发展来看,明年就可以实现小量外销,2023年便可以大规模量产。

芯片制造关键技术

除了芯片制造设备方面的好消息之外,国产芯片制造技术也有很大的突破。

在全球芯片供应短缺的情况下,美国只得放宽对中芯国际的限制,在得到相应许可后,中芯迅速与ASML签订了77亿的大单,买来了大批DUV光刻机,以用来扩大产能。

更重要的是,中芯利用Finfet技术,通过DUV光刻机的多次曝光,突破了7nm芯片工艺的制造技术,并已宣布在4月份进行风险试产。这意味着中芯将成为全球除了台积电和三星之外第三家能够代工7nm芯片的企业。

另外,中芯抓住全球芯片供不应求的机遇,迅速扩建产能。据知情人士透露,中芯的产能已经满载,预期每月会制造出约40000片12寸晶圆。

总体来看,在经历“卡脖子”之痛后,国产半导体产业经过规划与调整,目前已进入全面突围阶段。

写在最后

与我们相比,以出口为主的美国半导体产业却不容乐观,被芯片禁令“误伤”的美企比比皆是,加上一场突如其来的寒潮,至今还有不少芯片工厂处于停产状态。

要知道美国在半导体领域比我们早起步了几十年,打压本意是限制,却不曾想会逼得我们加速前进,如今我们已经迎头赶上,且大有反超的趋势。

面对这种情况,美科学家不禁感叹:中国科技发展得实在是太快了!

转载自:科技小笛

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