华为“双喜临门”，自主化布局完毕，光刻机迎来新突破

光刻机作为芯片制造过程中最繁琐复杂的设备，目前的最先进技术一直被荷兰的ASML所垄断。虽然国内也能完成光刻机的生产，但和阿斯麦之间还是存在一定的差距。

不得不提到的是，目前国产的光刻机能生产出来的芯片制成工艺最低在28纳米。虽然28纳米在市场上仍然占据着不小的份额，但眼看着芯片已经朝3纳米工艺发展了，以谋求产业链自主，华为更是顶起了国产化的大梁。下一步要进行的就是设备的安装调试和人员的招聘。

不仅如此，大家都知道华为旗下的海思半导体在芯片设计领域的水平已经达到国际前列，麒麟系列芯片的设计和应用给国人争了不少脸，但海思在芯片设计领域所需要用到的EDA软件还是要依靠美国的三家软件公司。

华为为了改变这样的现状，前段时间向国内的九同方微电子公司做出了入股投资，准备弥补国内的EDA软件缺失，华为在这两个方面出手，确实让国内的民众重新振奋了精神。

其实大家都深知光刻机的重要性和复杂性，对于入局光刻机这件事不像其他产业链环节那样简单。这次获得突破的光刻机处于90纳米的水平，这就意味着一次曝光可以完成90纳米工艺芯片制作，而经过多次曝光之后，最高可以实现28纳米工艺芯片制作。

​这次获得突破的光刻机，有幸成为世界上首台运用紫外光源实现22纳米分辨率的光刻设备，和之前版本的光刻机进行对比，就能看出这次光刻机进步不小，实现了从90纳米到22纳米的跨越。

虽然和ASML的EUV光刻机相比之下，这种光刻机的光源波长在365纳米，和阿斯麦的193纳米波长还是有所差距的，但此次光刻设备的亮点就在于采用了研发的新思路，在技术上能完美地绕开了国外的技术。