高芯圈 芯片半导体资讯网 三星亮出全球首款3nm芯片

三星亮出全球首款3nm芯片

作者:匿名    来源:未知   
浏览:798    发布:2021-03-17 16:46:00

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在全球半导体行业中,芯片制程工艺以28nm为主要分水岭,28nm以上工艺被称为传统制程,而低于28nm的则是先进制程。回归到智能手机终端,目前已量产的最先进制程工艺无疑是5nm,比如说高通骁龙888芯片、苹果A14芯片等。

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其中,高通骁龙888芯片首次采用三星5nm工艺生产,而苹果A14和华为麒麟9000芯片则是由台积电来完成。近日,三星在IEEE国际集成电路会议上,亮出了全球首款3nm工艺制程的SRAM存储芯片,实现了更前沿的技术突破。

3nm芯片何时到来?明年正式量产

三星的5nm工艺制程在大家看来不如台积电,不仅量产时间晚了很多,并且还被外界称为“7nm的改良版”,并非是真正的5nm。当然,不论是7nm还是5nm行业内都没有统一的标准,如果较真的话,那么台积电和三星都有问题。

不管怎样,5nm工艺芯片已经成为当下主流。而三星所秀出的3nm芯片,其实只是抢了个“时间差”,因为从业界消息得知,台积电也会在明年实现量产3nm工艺芯片,并且苹果下一代A15芯片将直接采用。

因此,可以确定的是,三星和台积电将于明年都会开始量产3nm芯片。

三星3nm工艺有望比台积电更先进

芯片功耗分为动态功耗和静态功耗,前者相当于工作时所产生的功耗,而后者则是各种精密元器件漏电功耗。而漏电功耗在实际中占到了芯片总功耗的50%以上,是真正的功耗杀手。

每一代芯片工艺的大进步,都会缩短CMOS晶体管的沟道长度,而沟道长度越短,漏电就越严重,所以在目前主流的5nm工艺时代,三星和台积电为了保守起见,均沿用了传统的FinFET晶体管,导致5nm集体功耗有些翻车。

而在3nm工艺中,三星将采用全新的GAAEFET晶体管,能够大幅降低电压功耗。作为对比,台积电则依然还是FInFET晶体管。反映到最终数据对比上看:

三星称自家3GAE工艺能将芯片晶体管密度增加最多80%,性能提高最多30%,或者功耗降低最多50%;而台积电的3nm FinFET工艺则最多提高晶体管密度70%,性能提升11%,功耗降低27%,显然大大不如前者

最后,回到我们国内半导体行业来看,虽然比起台积电和三星的工艺掌握差距还非常大,但是传统制程方面已经基本成熟,接下来就是全力攻克先进工艺制程。同时,华为所面临的芯片危机想必迟早也会得到解决。

文章来源:Tech情报局

 

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