高芯圈 芯片半导体资讯网 中芯国际连传喜讯,冲击7纳米芯片顶尖技术

中芯国际连传喜讯,冲击7纳米芯片顶尖技术

作者:匿名    来源:未知   
浏览:883    发布:2021-03-25 13:05:13

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如今中国方面在芯片制造领域,已然是“多点开花”。

中国电科近日放出消息,他们成功让离子注入机全谱系产品实现了国产化,相关核心发明专利已经达到了413项。

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中国电科近日放出消息,他们成功让离子注入机全谱系产品实现了国产化,相关核心发明专利已经达到了413项。

最近中国方面清华大学联合国外科研人员,发布了项重大科技成果,获得一种相干辐射,波长覆盖了EUV波段,光子科学领域可谓取得了新突破。这有望助力大功率EUV光源技术发展,从而实现对EUV光刻机核心技术的突破。

新年伊始,中芯国际也连传喜讯,FinFET技术已经实现量产,第二代技术也亟待成形。

FinFET技术是一种基于14纳米工艺改变的12纳米工艺,而它的第二代技术则是对应的是台积电的7纳米技术。如今第二代技术正在进行风险试产。这种技术将可以摆脱EUV光刻机的束缚,进行多次曝光就能制造出7纳米芯片。

此前中芯国际和荷兰方面还签订了价值77亿的订单,订单中包括了DUV光刻机,这也能助力7纳米芯片的制造。未来中芯国际将对7纳米工艺技术展开冲击。

中科院入局立见成效

目前全球首个利用FinFET N+1工艺,基于中芯国际的先进工艺芯片流片和测试已经成功,同时也说明国产7纳米芯片技术取得了突破,意味着国产芯片打破了西方垄断。

国产FinFET N+1工艺下制造的芯片,将直接堪比台积电14纳米芯片的水准。芯片性能增强了2成,功耗减少了一大半,功率和稳定性上,也堪比台积电7纳米芯片。

未来这种工艺更是用于普通光刻机上,从而不受到EVU光刻机的掣肘,以此能打造与台积电7纳米芯片等效的芯片。

近期,中国的一款紫光芯片还获得了国际相关安全认证,成为了全球安全等级最高的一款安全芯片。

另外,中国的一款CMOS毫米波全集成通道相控芯片,相比美国同类型的芯片,成本还要低了一大截。这再一次打破了西方垄断,对行业发展也是重大促进。

2020年9月,中科院方面宣布,将会全力攻克光刻机等技术。这个重大利好消息,在近段时间对行业发展的促进也是显而易见。

作为全球规模最大智能手机市场的中国,在2020年,中国购买了全球8成的芯片,进口的芯片则达到了3800亿美元,显示出国内对芯片的需求十分强劲。

但是相关芯片技术却是许久未能突破,更是遭到了西方在技术上的围堵封锁。这种情况下,中国只能是在该技术领域自立自强。

国产芯片发展未来可期

目前中国已经能够制造14纳米制程的芯片设备,这意味着覆盖了市场上9成的产品。不过我们依然不能就此止步。

光刻机领域上,未来将有一台28纳米国产沉浸式光刻机诞生。芯片设计上,国产5纳米处理器的芯片已经出现,6纳米工艺打造的芯片也完成了设计并流片,这彰显了国产芯片行业的巨大潜力。未来国产芯片领域,还将突破5纳米以及光刻机等高端设备,从而进一步打破西方垄断,国产芯片已经进入突围倒计时。

转载自:北方国际视野

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