如今中国方面在芯片制造领域，已然是“多点开花”。
中国电科近日放出消息，他们成功让离子注入机全谱系产品实现了国产化,相关核心发明专利已经达到了413项。
中国电科近日放出消息，他们成功让离子注入机全谱系产品实现了国产化,相关核心发明专利已经达到了413项。
最近中国方面清华大学联合国外科研人员，发布了项重大科技成果，获得一种相干辐射，波长覆盖了EUV波段，光子科学领域可谓取得了新突破。这有望助力大功率EUV光源技术发展，从而实现对EUV光刻机核心技术的突破。
新年伊始，中芯国际也连传喜讯，FinFET技术已经实现量产，第二代技术也亟待成形。
FinFET技术是一种基于14纳米工艺改变的12纳米工艺，而它的第二代技术则是对应的是台积电的7纳米技术。如今第二代技术正在进行风险试产。这种技术将可以摆脱EUV光刻机的束缚，进行多次曝光就能制造出7纳米芯片。
此前中芯国际和荷兰方面还签订了价值77亿的订单，订单中包括了DUV光刻机，这也能助力7纳米芯片的制造。未来中芯国际将对7纳米工艺技术展开冲击。
中科院入局立见成效
目前全球首个利用FinFET N+1工艺，基于中芯国际的先进工艺芯片流片和测试已经成功，同时也说明国产7纳米芯片技术取得了突破，意味着国产芯片打破了西方垄断。
国产FinFET N+1工艺下制造的芯片，将直接堪比台积电14纳米芯片的水准。芯片性能增强了2成，功耗减少了一大半，功率和稳定性上，也堪比台积电7纳米芯片。
未来这种工艺更是用于普通光刻机上，从而不受到EVU光刻机的掣肘，以此能打造与台积电7纳米芯片等效的芯片。
近期，中国的一款紫光芯片还获得了国际相关安全认证，成为了全球安全等级最高的一款安全芯片。
另外，中国的一款CMOS毫米波全集成通道相控芯片，相比美国同类型的芯片，成本还要低了一大截。这再一次打破了西方垄断，对行业发展也是重大促进。
2020年9月，中科院方面宣布，将会全力攻克光刻机等技术。这个重大利好消息，在近段时间对行业发展的促进也是显而易见。
作为全球规模最大智能手机市场的中国，在2020年，中国购买了全球8成的芯片，进口的芯片则达到了3800亿美元，显示出国内对芯片的需求十分强劲。
但是相关芯片技术却是许久未能突破，更是遭到了西方在技术上的围堵封锁。这种情况下，中国只能是在该技术领域自立自强。
国产芯片发展未来可期
目前中国已经能够制造14纳米制程的芯片设备，这意味着覆盖了市场上9成的产品。不过我们依然不能就此止步。
光刻机领域上，未来将有一台28纳米国产沉浸式光刻机诞生。芯片设计上，国产5纳米处理器的芯片已经出现，6纳米工艺打造的芯片也完成了设计并流片，这彰显了国产芯片行业的巨大潜力。未来国产芯片领域，还将突破5纳米以及光刻机等高端设备，从而进一步打破西方垄断，国产芯片已经进入突围倒计时。
转载自：北方国际视野
