高芯圈 芯片半导体资讯网 台积电4nm提速,加紧布局3D封装

台积电4nm提速,加紧布局3D封装

作者:匿名    来源:未知   
浏览:746    发布:2021-06-07 11:03:11

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据台媒经济日报报道,台积电在昨日的技术论坛上表示,公司4纳米提前一季在今年第3季试产,3纳米也可望如期于明年下半年量产之际,公司也持续布局更先进制程,以及特殊制程开发,包括纳米层片装置、创新材料布局等,要持续拉开与竞争对手的差距。

台积电业务开发副总张晓强昨日说明先进制程突破进展,张晓强目前负责台积电业务策略,包括技术蓝图、客户沟通与互动等。他提到,台积电在3纳米之后更先进的技术上取得突破,如纳米层片装置开发,以短通道控制,在低电压下仍能提供良好效能,期望将纳米层片的效能提高超过10%以上。

同时,台积电创造一种将金属与2D材料结合的新方法,改善接触阻力和为缩小元件尺寸的最小接触长度,低温传输过程,以及原子级薄膜面间和通道材料,为未来的2D电子产品铺路。

此外,在1D碳纳米管电晶体方面也取得进步,在制作高品质、超薄介电系统方面有突破性进展。

据报道,台积电在论坛上释出逾十项先进制程进展,包括支持下一世代5G手机与WiFi 6/6e效能的6纳米无线射频(RF)制程、支援最先进汽车应用5纳米N5A制程、4纳米米提前试产、3纳米硅智财就绪可开始设计流程,以及3D先进封装整合平台更新,总计有逾50家台积电大联盟伙伴线上参展,逾5,000位客户与技术伙伴注册参与。

魏哲家提到,台积电5纳米领先量产以来,应用涵盖智能手机、高速运算、物联网,累计出货量已超过50万片,最新推出N5A制程因应汽车应用需求,支援人工智能的驾驶辅助及数位车辆座舱。

台积电2020年领先业界量产5纳米技术,其良率提升的速度较前一世代的7纳米技术更快。

产能大增

 

台媒钜亨网也指出,台积电营运组织资深副总经理秦永沛今昨日表示,2023年5纳米产能与2020年相较,将大增逾4倍;而为提高3纳米与2纳米开发与生产效率,原先计划的研发中心将改为晶圆十二厂第八期、第九期,其中第八期将于今年完成,也计划建造2纳米制程晶圆厂,正进行土地取得程序。

秦永沛指出,台积电承诺持续投资产能,以支援全球客户需求,迅速提升7 纳米、7 纳米强化版与6 纳米产能,今年7 纳米系列产能与2018 年相比,将会大幅成长超过4 倍,而2023 年5 纳米产能与2020 年相较,同样将大幅成长逾4 倍;2018 年至2021 年,先进制程技术产能增加3 成以上。

秦永沛表示,5 纳米制程D0 值(平均缺陷密度) 比7 纳米同期的表现还好,已低于0.1,广泛采用EUV 是其中一项重要因素,而4 奈米初期D0 值表现也相当不错,预期2022 年会跟5 纳米一样好。

秦永沛指出,去年台积电装设的EUV 机台设备,约占全球EUV 技术产能的一半,占全球累计晶圆数量的65%,且今年台积电的EUV 光罩护膜产能将是2019 年的20倍,以满足大量量产需求。

特殊制程技术方面,秦永沛说明,台积电特殊制程包括电源管理、混合讯号、感测器、指纹辨识等,产能将年增12%。

晶圆厂区规划方面,秦永沛指出,位于台南厂区的晶圆十八厂,前三期厂房已量产5 纳米制程,第四期正在施工中,十八厂第五到八期是3 纳米生产基地,正准备中;晶圆十四厂第八期将是未来特殊制程生产基地,先进封装生产基地也在兴建中。

新竹厂区部分,秦永沛表示,为提高3 纳米与2 纳米开发与生产效率,原先计划的研发中心将改为晶圆十二厂第八期、第九期,其中第八期正在兴建中,将于今年完成,也计划建造一座生产2 纳米制程的新晶圆厂,目前正进行土地取得程序。

至于美国亚利桑那州厂,秦永沛指出,该厂区位于凤凰城机场的北边,第一期正兴建中,预计2024 年采5 纳米制程量产,月产能2万片。

SoIC最快2022年小量投产,年底有5座3DFabric厂

 

台积电总裁魏哲家表示,台积电持续扩展3DFabric系统整合解决方案,SoIC(系统整合晶片)将于2022年小量投产,同年底将有5座3DFabric专用的晶圆厂。

台积电技术论坛中揭示先进逻辑技术、特殊技术、及3DFabric先进封装与芯片堆叠技术等创新成果。今年是连续第二年采用线上形式举行技术论坛,与客户分享最新技术发展,包括3DFabric系列技术的强化版。

台积电在去年的技术论坛上,首次揭露将SoIC(系统整合芯片)、InFO(整合型扇出封装技术)、CoWoS(基板上晶圆上芯片封装) 等先进封装与芯片堆叠技术,整合为3DIC 技术平台「3DFabric」,今年则宣布,将持续扩展3DFabric 系统整合解决方案。

魏哲家指出,针对高效运算,今年将提供更大的光罩尺寸,来支援整合型扇出暨封装基板(InFO_oS) 及CoWoS 封装解决方案,运用范围更大的布局规画来整合小芯片及高频宽记忆体。此外,系统整合晶片中芯片堆叠于晶圆之上(CoW) 的版本,预计今年完成7 奈米对7 纳米的验证,并于2022 年在崭新的全自动化晶圆厂开始生产。

针对行动应用,台积电推出InFO_B 解决方案,将强大的行动处理器整合于轻薄精巧的封装中,提供强化效能与功耗效率,并支援行动装置制造厂封装时,所需的动态随机存取记忆体堆叠。

SoIC 方面,魏哲家指出,其为3DFabric 平台旗下最新成员,是业界第一个高密度3D 小芯片(chiplet) 堆叠技术,可将不同尺寸、功能、节点的小芯片进行异质整合,未来若要追求更好的运算效率、更大的资讯频宽、更小的面积尺寸、更好的成本效益,3D 小芯片堆叠会是最好的选择。

魏哲家今日也说,SoIC 将于2022 年小量投产,同年年底将有5 座3DFabric专用的晶圆厂。

 

​台积电目前正扩大在竹南的凸块(bumping) 制程、测试和后端3D 先进封装服务产能。该厂区目前正在施工,将于2022 年下半年开始进行SoIC 生产。

 

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