近期，美国不断打压中国芯片产业，从中可以看出我们在高端芯片领域还是很薄弱的。
但是利好消息传来，北京大学研究团队正在研发的碳基芯片（石墨烯芯片），其性能将是传统硅基芯片的5-10倍，我们能否因此弯道超车？
有这个想法并不奇怪，但芯片的发展是条直路，不是轻易就能够超越的。
不少朋友都有听说过碳基芯片，我们今天就来讲讲，什么是碳基芯片？
我们能否借助它弯道超车？
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当代科技产品中使用的都是硅基芯片，而制造它离不开光刻机。
虽然光刻机是荷兰的，但是美国依然有办法借此打压我们。
五千年来，我们什么风雨没见过，难道会就此认输吗？
既然造不了传统的硅基芯片，那么我就点亮别的科技树，最终结果跟你一样或者比你强就行。
比如北大团队提出的碳基芯片方案 ，这是基于老朋友“石墨烯”的研发思路，而“石墨烯”应用正是我们的强项。
石墨烯，简单来说就是碳原子薄膜。
把这个薄膜卷起来就是一个碳纳米管，相当于传统硅基芯片中的晶体管。
负责信号传输的电子，可以在这个管道中穿行。
众多碳纳米管经过分布排列构成集成电路，这就是一个完整的碳基芯片，所以石墨烯芯片也叫碳基芯片。
碳基芯片和传统硅基芯片，在运行原理上是一样的，都依靠于电子的运动。
区别在于，生产制造所需要的光刻机精度。
为什么要研发碳基芯片？
由于碳基芯片跟传统硅基芯片一样，都属于半导体。
既然是半导体，就需要通过电极来传递信号，而固定电极必须通过光刻机来完成。
所以碳基芯片的生产依然无法摆脱光刻机，不过大家不用担心，因为它对光刻机的要求没那么高，我们现有的光刻机完全可以满足。
那么问题来了，既然研发碳基芯片不是为了避开光刻机，那又是为了什么呢？
这是因为，在同等工艺下，碳基芯片的性能要远大于传统的硅基芯片。
传统的硅基芯片越做越小，从14纳米到3纳米，为的就是提升芯片的性能。
简单来说，就是把芯片上的晶体管做得足够小，这样就可以在不改变芯片的面积下，增加晶体管的数量。
而负责传递信号的通道就是晶体管，通道多了，信号传递的速度自然就快了。
所以在同等芯片面积下，排列的晶体管越多，性能也就越高。
传统硅基芯片的极限是1纳米，现在已经做到3纳米了，即将接近极限。
而碳基芯片可以做到1纳米以内，这在性能提升上具有很大的优势。
碳基芯片在理论上，运行速度是传统硅基芯片的5到10倍，并且功耗也降低了十分之一。
能否借此弯道超车？
照这样看，碳基芯片真是一个黑科技。
但从客观上说，弯道超车的可能性并不大。
碳基芯片不能只看性能方面，它对于成本和提纯等方面也有比较高的要求。
当然了，也不能因此去判定研发碳基芯片没有用处，性能比传统硅基芯片好就是它的优势。
越是被卡脖子，我们越要自强不息，只有握在手里，才是属于自己的。
