一、岗位职责
1. 参与MOSFET功率器件新工艺,新项目开发,进行新工艺流程建立、更改 ;
2. 参与MOSFET项目计划制定,完成实验计划;
3. 线上流片监控,线上线下数据收集,整理;
4. 部门协作及客户支持;
5. 完成部门经理(上级主管)交办的其他任务。(芯片人才)
二、任职要求
1. 半导体物理,微电子,物理等专业本科以上学历;
2. 具备扎实的半导体物理,器件理论和工艺原理知识;
3. MOSFET功率器件设计或工艺开发(TD/PIE)2年以上经验,有平面/TRENCH MOSFET, SGT, Super-Junciton开发经验优先;
4. 良好的沟通和团队协作能力。(半导体人才)
三、本文总结
更多关于「TD MOSFET技术研发工程师」职位相关信息请访问高芯圈官网查看,高芯圈是芯片半导体行业的人才求职招聘网站平台,专注芯片设计、芯片封装、芯片制造、芯片研发、半导体芯片、半导体制造、半导体研发等行业的人才求职招聘服务,提供求职招聘、人才筛选、薪酬报告、人事外包等服务与解决方案,芯片半导体职业机会尽在高芯圈。