FAE工程师面议

学历:本科 | 工作年限:三年以上 | 年龄:不限
最后刷新:2024/04/18 10:08:52

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职位描述
职位介绍
职责描述:
1、MOSFET(SiC器件、Trench MOSFET、SGT MOSFET、SJ MOSFET等)的设计与开发:负责器件结构与工艺设计,新老产品性能优化与良率提升,器件测试与可靠性考核,与FAE共同完成器件整机应用测试,完成编写产品规格书;
2、与晶圆代工厂和封装代工厂日常对接:设计制定工艺流程和测试程序,设计流片实验方案与封装实验方案,完成编写封装规格书与芯片规格书;
3、专利与论文的编写:包括但不限于器件结构、制造工艺、封装结构、产品应用等,研究与分析国内外知名半导体功率器件公司的新技术、新产品、新封装与各类应用;
4、积极配合完成部门主管与公司领导交办的各项工作。
任职要求:
1、微电子相关专业本科以上学历,硕士优先
2、熟悉MOSFET、IGBT、二三极管、宽禁带半导体理论基础;
3、熟悉工艺仿真和器件仿真工具;
4、熟练使用英文读写,熟练英文交流更佳;
5、能吃苦,思维清晰,善于沟通与表达,适应出差。
公司介绍

苏州锴威特半导体股份有限公司成立于2015年01月22日,注册地位于张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室,法定代表人为罗寅。经营范围包括半导体分立器件、集成电路和系统模块的生产、设计、测试、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务;软件设计、开发、销售。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)苏州锴威特半导体股份有限公司对外投资1家公司,具有3处分支机构。

工作地点
深圳-南山区科技南路16号深圳湾科技生态园11栋A座2804A
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芯片半导体职位来 高芯圈
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