高芯圈 芯片半导体资讯网 多个环节惊人突破!国产芯片突围倒计时

多个环节惊人突破!国产芯片突围倒计时

作者:匿名    来源:未知   
浏览:935    发布:2021-03-23 15:47:38

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香港万得通讯社报道,有数据显示,去年我们买了全球80%的芯片,国内依然是芯片最大的市场。中国芯片制造业要想实现突围,攻克“卡脖子”技术势在必行。近两年以来,除核心中企加大攻关、研发力度以外,中科院等顶尖科研机构也已“跑步”进场,宣布将把光刻机等列入其科研清单中。在中企和“国家队”共同发力的情况下,国产芯片多个环节惊人突破!实现芯片国产化的距离越来越近。

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离子注入机

3月22日,中国电子科技集团有限公司官发方消息,中国电科旗下装备子集团日前已成功实现离子注入机全谱系产品国产化,可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。

据悉,中国电科旗下装备子集团突破的产品包括:中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机,工艺段覆盖至28nm,累计形成了413项核心发明专利。

中芯国际:冲击7纳米

2021年开始之后,中芯国际接连迎来了几个好消息。3月17日,中心扩建finfet该技术已经成功量产,第二代技术也正在风险是量产之中。所谓的fin fet机其实就是14纳米工艺改变的12纳米工艺,finfet第二代技术都是指n+1以及n+2制成工艺对标的是台积电的7纳米技术。行业人士猜测,如今正在进行风险试产的应该就是七纳米。毕竟七纳米是可以脱离EUV光刻机,进行多次曝光就可以生产制造出来的,而这一点台积电早就已经做了先例。前段时间,中芯国际与荷兰阿斯麦公司签订了一笔价值77亿的订单,其中就包括DUV光刻机,能够经过多次曝光,制造出7纳米芯片。

一旦中芯国际突破了七纳米工艺,就意味着中芯国际实际台积电以及三星之后第三家掌握这项技术的芯片代工企业。

此外,中芯国际拟于深圳扩建产能,生产28纳米及以上集成电路。3月17日,中芯国际公告,公司和深圳政府(透过深圳重投集团)拟以建议出资的方式经由中芯深圳进行项目发展和营运。依照计划,中芯深圳将开展项目的发展和营运,重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务,旨在实现最终每月约40000片12吋晶圆的产能,预期将于2022年开始生产。

EUV光源

据清华大学官网消息,2 月 25 日,清华大学工程物理系教授唐传祥研究组联合国外科研人员发布了一项重大科研成果。该成果基于SSMB(Steady-state microbunching,一种新型粒子加速器光源“稳态微聚束”)原理,能获得高功率、高重频、窄带宽的相干辐射,波长可覆盖从太赫兹到极紫外(EUV)波段,有望为光子科学研究提供广阔的新机遇。

大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础。随着芯片工艺节点的不断缩小,预计对EUV光源功率的要求将不断提升,达到千瓦量级。基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率,并具备向更短波长扩展的潜力,为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。

​转载自:Wind资讯

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