作为全球半导体行业巨头，三星和台积电一同掌握了目前全世界最先进的芯片制程工艺。众所周知，今年高通最新的移动端旗舰级处理器骁龙888正是采用了三星7nm工艺生产，被广泛应用于各大厂商高端机型当中。
而在近日，三星正式宣布自家3nm工艺芯片成功流片，距离量产更近一步。就目前来看，全球量产最先进工艺仍是5nm，而台积电也将在明年量产3nm工艺，与三星在时间节点上实际差不了多少。
但是，从3nm工艺性能差距上看，三星首次超过了台积电。在3nm工艺研究上，三星直接选择了更为激进的下一代工艺技术——GAAFET环绕栅极场效应晶体管，能够显著增强晶体管性能，用以取代过去成熟的FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺仍是基于后者。
具体来看，三星的第一颗3nm SRAM芯片采用的是MBCFET技术，容量256MB，拥有超低功耗特性。按照三星官方说法，自家的3GAAFET工艺相比于5nm工艺，性能提升最多30%，功耗降低最多50%。
作为对比，台积电所公布的3nm工艺相比于5nm工艺，性能提升可达到1%，功耗降低最多27%，由此可见其表现完全不如三星。不得不说，在过去的7nm和5nm时代，台积电一直稳压三星，而在即将来临的3nm工艺，三星终于实现了反超。
不过，虽然从理论性能上看三星比台积电更强，但是根据以往的表现，台积电3nm工艺所拥有的客户数量更多，包括苹果、AMD、NVIDAI、联发科、赛灵思、博通、高通等主要客户都会在明年采用，而三星想要从台积电手中抢走这些客户，除了量产时间要早以外，还要从芯片性能和代工价格上狠下功夫。
来源：Tech情报局
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