高芯圈 芯片半导体资讯网 全球首发,三星宣布3nm芯片成功流片,性能比台积电更强

全球首发,三星宣布3nm芯片成功流片,性能比台积电更强

作者:匿名    来源:Tech情报局   
浏览:893    发布:2021-07-01 14:51:57

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作为全球半导体行业巨头,三星和台积电一同掌握了目前全世界最先进的芯片制程工艺。众所周知,今年高通最新的移动端旗舰级处理器骁龙888正是采用了三星7nm工艺生产,被广泛应用于各大厂商高端机型当中。

而在近日,三星正式宣布自家3nm工艺芯片成功流片,距离量产更近一步。就目前来看,全球量产最先进工艺仍是5nm,而台积电也将在明年量产3nm工艺,与三星在时间节点上实际差不了多少。

但是,从3nm工艺性能差距上看,三星首次超过了台积电。在3nm工艺研究上,三星直接选择了更为激进下一代工艺技术——GAAFET环绕栅极场效应晶体管,能够显著增强晶体管性能,用以取代过去成熟的FinFET晶体管技术,而台积电的3nm工艺仍是基于后者。

具体来看,三星的第一颗3nm SRAM芯片采用的是MBCFET技术,容量256MB,拥有超低功耗特性。按照三星官方说法,自家的3GAAFET工艺相比于5nm工艺,性能提升最多30%,功耗降低最多50%。

作为对比,台积电所公布的3nm工艺相比于5nm工艺,性能提升可达到1%,功耗降低最多27%,由此可见其表现完全不如三星。不得不说,在过去的7nm和5nm时代,台积电一直稳压三星,而在即将来临的3nm工艺,三星终于实现了反超。

不过,虽然从理论性能上看三星比台积电更强,但是根据以往的表现,台积电3nm工艺所拥有的客户数量更多,包括苹果、AMD、NVIDAI、联发科、赛灵思、博通、高通等主要客户都会在明年采用,而三星想要从台积电手中抢走这些客户,除了量产时间要早以外,还要从芯片性能和代工价格上狠下功夫。

来源:Tech情报局​

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