据报道，英伟达、高通、IBM 和百度已选择三星作为其3nm芯片的代工厂。与台积电不同，三星已于 2022 年 6 月在三星的华城晶圆厂开始大规模生产第一代基于 GAAFET 和 3nm工艺的半导体。因此，三星似乎在成为先进芯片供应商的竞争中抢占了先机，其目标是取代台积电成为全球半导体之王（台积电全球市场份额是三星的三倍多) 同时保持对去年在晶圆制造领域快速发展的英特尔的领先。（半导体人才网站）
“一些公司正在减少与台湾地区公司的交易。相反，他们正在其他国家寻找第二和第三供应商，例如三星，”一家后端加工公司的一位工作人员表示。韩国经济新闻报导，三星正在跟5~6家IC设计客户共同开发先进芯片，预计最快2024年就能大量供应。
鉴于其资本密集型制造过程，半导体的盈利能力是一场数字游戏。因此，来自四大科技公司的合同肯定有助于三星缩小与台积电的差距。与 5nm节点相比，三星第一代 3nm工艺提供的芯片性能提升高达 23%，能效提高 45%，晶圆面积减少 16%。这四家公司正在寻求利用三星的 3 nm 节点用于各自的市场，即 GPU (英伟达)、智能手机和移动设备 (高通)、CPU (IBM) 和 AI 驱动的云数据中心 (百度)。
这一发展还意味着三星目前由电信公司主导的半导体客户名单扩大到高性能计算专业。三星第二代3nm工艺芯片，预计2023年投产，功耗最高可降低50%，性能提升30%，晶圆面积减少35%。三星还在威廉姆森县建造一座价值 170 亿美元的芯片制造厂，距离其在德克萨斯州奥斯汀的现有工厂 40 英里。
三星电子先前宣布，其3nm制程的省电效率、芯片效能分别较5nm提升45%、23%。另外，三星也计划在2025年让更先进的2nm GAA制程商业化，并于2030年成为全球最大晶圆代工厂。
台积电3nm仍有竞争力
尽管三星在时间节点上领先了台积电，但台积电在先进制程中仍保持竞争力。今年十月，Alphawave 表示已流片使用台积电的 N3E 制造技术制造的芯片成功通过了所有必要的测试。台积电计划在未来两三年推出五项3nm级制程技术。
消息人士称，台积电由4nm组成的5nm工艺系列已经吸引了AMD、Apple、Broadcom和Intel的订单。随着台积电5nm、4nm工艺成熟良率，台积电也夺回了英伟达的芯片大单。
在这样的情况下，台积电代工的价格保持水涨船高。业界也传出台积电3nm工艺报价可能高达2万美元。早前媒体报道台积电的每片晶圆销售价格从亚10nm工艺节点开始呈指数级增长。当台积电成为全球第一家在大批量生产中采用193nm光刻技术的芯片制造商时，部署193nm工具的90nm晶圆价格在2004年接近2,000美元。在代工厂进入10nm以下工艺领域之前，晶圆价格一直在稳步上涨。
台积电在2017年引入该工艺并投入量产时，10nm工艺的价格约为每12英寸晶圆6,000美元，而2011年28nm工艺的价格约为3,000美元，2008年40nm工艺的价格为2,600美元。随着行业转向16/14nm工艺节点，该行业也从平面晶体管过渡到FinFET晶体管。
台积电的晶圆价格随后在2018年跃升至近10,000美元的7nm，并在2020年突破5nm的16,000美元。该代工厂开始在其7nm工艺制造中部署EUV。
台积电3nm的晶圆价格估计超过20,000美元，这肯定会增加芯片和系统供应商的成本负担，要求其尖端产品采用该工艺。将不断上涨的成本转嫁给下游客户并最终转嫁给终端消费者将是不可避免的。
三星依然不太被看好
三星自5nm 世代以来一直无法解法良率问题，致使原本订单倾向三星的高通不得不回头向台积电求援，而他们最新推出的骁龙8 Gen 2 依然采用了台积电4nm 技术。高通目前从台积电的 4nm节点上采购芯片（Snapdragon 8 Gen 2 和 Snapdragon 8+ Gen 1），而其 Snapdragon 8 Gen 1 基于三星的 4nm工艺。
业内人士认为，高通转单成本高昂，且三星甚难短期就拉升良率，而先进制程必须在1 年半前就要开始展开合作，所以就算会给三星下单也是象征性地下一点点。英伟达除了H100 下单台积电4nm 外，订单规模最大的RTX 40 系列也转向了台积电4nm。（半导体招聘）
据透露，即将量产的台积电3nm已经获得苹果等大客户的订单承诺。消息人士认为，台积电将在2023年看到3nm芯片销售开始大幅产生收入。
