工作职责:
负责150nm~55nm HVCMOS相关器件开发,作为器件专家,能够独立或者带领团队完成以下工作:
1. 制定设计规则(Design Rule);
2. 制定并完成工艺和器件调试相关的tapeout工作;
3. 分析器件性能且能够提出器件调试和改进计划。
任职资格:
1.***硕士及以上学历
2.微电子、电子、集成电路、材料、物理、光学等专业
3.三年以上8/12寸HVCMOS器件研发或者五年HVCMOS器件相关研发经验
公司性质:民营公司
公司规模:1000-5000人
公司官网: https://risfond.com/nsem?source=baidu-PZ&keyw=ppbt