高级芯片研发经理/工程师（Tvs、IGBT）30-60万/年

技能要求：
沟槽MOS，SGT MOS，超结MOS，IGBT，SIC MOS，芯片设计
职位描述 :
该职位汇报给芯片设计部部长，负责LRC芯片设计开发项目
1、负责功率IGBT、Sic Mos、超结MOS、TVS器件设计与开发，及时解决开发过程中的相关设计、工艺、参数、可靠性等问题，保障项目从立项到量产前按计划进行；
2、提供项目从立项到量产前的开发过程需要的文件资料，受控相关文件；
3、负责项目相关的数据收集、分析、报告整理，按照流程申请项目关键节点的审批；
4、对已量产的产品提供问题分析与技术支持；建立相关项目的开发数据库；
职位要求 :
1、硕士及以上微电子等相关理工科专业
2、3年以上设计开发相关经验。熟悉功率MOS/IGBT/TVS等类芯片设计与开发、熟悉功率IGBT、Sic Mos、超结MOS、TVS器件芯片工艺制造及封装过程。
3、熟悉芯片设计与开发，熟悉芯片关键制程，熟悉芯片和产品测试、数据分析和报告总结。良好的英文沟通能力。