功率器件研发工程师10k-40k/月

岗位职责：
1.根据公司的新产品开发计划，协助器件设计师负责TrenchMOSFET、超结MOSFET、SGT、IGBT等功率器件的一种或者几种器件的设计开发、工艺仿真和工艺流程制定。
2.负责相关产品的设计文件、工艺文件和封装测试文件的拟制。
3.负责与技术、市场、运营、质量等相关部门人员进行沟通和协调，协助完成相关文件的制定和流程跟踪。
4.根据终端客户需求，协助技术工程师解决客户反馈的技术问题。

任职要求：
1.微电子、集成电路、器件物理等相关专业硕士及以上学历，半导体物理及器件物理科目成绩优良。
2.从事过器件物理相关项目者优先。
3.熟悉版图设计（Layout Design）和器件仿真（TCAD Simulation）者优先。